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你了解溅射镀膜技术的种类及特点吗?

发布时间:2018-04-27浏览次数:载入中...来源:http://www.grvacuum.com/

      无锡光润真空科技有限公司专业从事真空镀膜机,卷绕镀膜机,磁控镀膜机,多弧镀膜机等产品生产,销售;我司具有20年从事真空技术应用研制经验,技术力量雄厚,品质保证,采购优质的真空镀膜机,卷绕镀膜机,磁控镀膜机,多弧镀膜机等产品,请您致电:0510-88276101.

      溅射镀膜有多种方式。其中归纳起来,1~5是按电极结构分类,即根据电极结构、电极的相对位置及溅射镀膜的过程,可以分为直流二极溅射、直流三极溅射、直流四极溅射、磁控溅射、对向靶溅射、ECR溅射等。6~12是在这些基本溅射镀膜的基础上,为适应制作各种薄膜的要求所做的进一步改进。反应溅射就是在Ar中加人反应气体,如N2、O2、CH4、C2H2等,可制备靶材料的氮化物、氧化创、碳化物等化合物薄膜;偏压溅射就是在成膜的基板上施加几百伏的负偏压,可使膜层致密、改善膜层的性能;射频溅射是在射频电压作用下,利用电子和离子运动特征的不同,在靶的表面感应出负的直流脉冲,而产生溅射现象,能对绝缘体进行溅射镀膜。

     1、二极溅射
溅射电源:DC 1~7kV  0.15~1.5mA/cm2,RF0.3~10kW 1~10W/cm2Ar气压/Pa(或Torr): 1.33(10-2),
特点: 构造简单,在大面积的基板上可以制取均匀的薄膜,放电电流流随气压和电压的变化而变化。
      2、三极溅射或四极溅射
溅射电源:DC 0~2kV  RF O~1kW,
Ar气压/Pa(或Torr): 6.65 x 10-2~1.33 x 10-1 (5 x 10-4~1 x 10-3)
特点: 可实现低气压、低电医溅射,放电电流和轰击靶的离子能量可独立调节控制。可自动控制靶的电流。也可进行射频溅射。
      3、磁控溅射(高速低温溅射)
溅射电源: 0.2~1kV(高速低温)3~30W/cm2
Ar气压/Pa(或Torr): 10~10-6 (约10-1~10-8)
特点: 在与靶表面平行的方向上施加磁场,利用电场和磁场相互垂直的磁控管原理减少电子对基的轰击(降低基板温度),使高速溅射成为可能。对Cu来说,溅射沉积速率为1.8μm/min时,温升为2℃/μm。CU的自溅射可在10-6Pa(10-8Pa)的低压下进行。
     4、对向靶溅射
溅射电源:采用磁控靶Dc或RF 0.2~1kV  3~30W/cm2
Ar气压/Pa(或Torr): 1.33 x 10-1~1.33 x 10-3(10-3~10-5)
特点: 两个靶对向布置,在直于靶的表面方向加上磁场,基板位于磁场之外。可以对磁性材料行高速低温溅射。
     5、ECR溅射
溅射电源:0~数千伏
Ar气压/Pa(或Torr): 1.33 x 10-3(10-5)
特点: 采用ECR等离子体,可在高真空中进行各种溅射沉积。靶可以做得很小。
     6、射频溅射
溅射电源: FR0.3~10kV 0~5kV
Ar气压/Pa(或Torr): 1.33(10-2)
特点: 开始是为了制取绝缘I体如石英、玻璃、Al2O3的薄膜而研制的。也可射镀制金属膜。靶表面加磁场可以进行磁控射频溅射。
     7、偏压溅射
溅射电源:在基片上施加0~500V范围内的相对于阳极的正的或负的电位
Ar气压/Pa(或Torr): 1.33(10-2)
特点: 在镀膜过程中同时清除基板上轻质量的带电粒子,从而使基板中不含有不纯气体(如H20、N2等残留气体等)。
      8、非对称交流溅射
溅射电源: AC1~5KV  0.1~2mA/cm2
Ar气压/Pa(或Torr): 1.33(10-2)
特点: 振幅大的半周期内靶进行溅射,在振幅小的半周期内对基板进行离子轰击,清除吸附的气体,从而获得高纯的薄膜。
     9、吸气溅射
溅射电源:DC 1~5KV   0.15~1.5mA/cm2  RF0.3~10KW 1~10W/cm2
Ar气压/Pa(或Torr): 1.33(10-2)
特点: 利用吸气靶溅射粒子的吸气作用,除去不纯物的气体。能获得纯度高的薄膜。
      10、自溅射
溅射电源:靶表面的磁通密度 50mT,7~10A ,φ100mm靶
Ar气压/Pa(或Torr):≈0(启动时1.33 x 10-1(10-3))
特点: 溅射时不用氩气,沉积速率高(达数μm/min),被溅射原子飞行轨迹呈束状(便于大深径比微细孔的埋入),目前仅限于Cu、Ag的自溅射。
     11、反应溅射
溅射电源:DC 0.2~7KV  RF0.3~10KW
Ar气压/Pa(或Torr): 在Ar中混入适量的活性气体,如N2、02等分别制取TiN AlO
特点: 制作阴极物质的化合物薄膜,例如,如果阴极(靶)是钛,可以制作1TiN.TiC。
从原理上讲,上述各种方案都可以进行反应溅射,当然9、10两种方案一般不用于反应溅射。
     12、离子束溅射
溅射电源:出电压0.5~2.5kV,离子束流10~150mA
Ar气压/Pa(或Torr): 离子源系统10-2~102,溅射室3 x l0-3

特点: 在高真空下,利用离子束溅射镀膜,是非等离子体状态下的成膜过程。靶接地电位也可,丕可以进行反应离子束溅射。

无锡光润真空科技有限公司(简称“光润真空”)是从事研发、设计、销售、制造、服务真空镀膜设备于一体的综合性科技公司。

  光润真空技术团队具有20多年从事真空技术应用设备研制、工艺开发的深厚资历,在与国内外一流研发机构合作的基础上,公司开发的硬质镀膜设备、卷绕镀膜设备以及光学镀膜设备等在国内处于领先水平。公司产品覆盖蒸发镀膜专用设备、磁控溅射真空镀膜专用设备、多弧离子真空镀膜专用设备、DLC和硬质膜层专用设备等。相关产品在国内有很强的市场影响力,也出口巴基斯坦、越南、印度、印尼、韩国、泰国、法国、土耳其、巴西等地。

  光润真空建立有镀膜膜层研究实验室,具有各种类型装饰膜层以及功能性膜层应用领域的研发能力。研究实验室拥有膜层应用领域专用实验设备及各种技术性能参数检测专用设备,是国内为数不多的能包工艺的真空镀膜制造生产公司。

  光润真空拥有完善的生产制造体系,在完成产品设计后,从零件的生产制造到全套设备的总装、调试,产品生产的每一个环节均受到公司质量管理系统的全面监控,从而保证了产品的整体高质量。

  公司坚持“表面处理整体解决供应商”的经营战略,推行“诚信、创新、环保”的经营理念,竭诚为国内外用户服务。

  企业团队。

  公司与美国知名研究机构以及国内知名高校合作,拥有一支高效、精良的技术力量队伍,开发能力强大,采用CAD三维立体设计系统进行产品开发,使产品的研发工作快速、高效、品质优良。以膜层研究指导镀膜设备的开发,使产品技术性能上始终保持着地位。

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